时间：2025/7/4 21:37:07
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CGA3E2NP02A332J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在提供高效率的同时，保持较低的导通电阻和开关损耗，适合用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
其封装形式支持高效散热，同时具备出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。
型号：CGA3E2NP02A332J080AA
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：34A
导通电阻(R_DS(on))：2.2mΩ（典型值，V_GS=10V）
总栅极电荷(Q_g)：75nC
输入电容(C_iss)：2200pF
输出电容(C_oss)：150pF
反向恢复时间(t_rr)：35ns
工作温度范围(T_j)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
CGA3E2NP02A332J080AA 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on))，有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，得益于较小的栅极电荷 (Q_g)，使得其在高频条件下表现出色。
3. 较低的反向恢复时间 (t_rr)，减少开关噪声并进一步提升效率。
4. 优异的热稳定性，能够承受较高的结温，确保长期可靠运行。
5. 支持大电流操作，适用于高功率密度的应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 工业电机驱动与逆变器的功率级电路。
3. 汽车电子中的负载切换和保护功能。
4. 电池管理系统 (BMS) 的充放电控制。
5. 大功率 LED 驱动器的核心元件。
6. 其他需要高效功率转换或快速开关响应的场景。
CGA3E2NP02A332J080AB, CGA3E2NP02A332J080AC
