CGA3E2NP02A101J080AA 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款功率MOSFET适用于需要高效能量转换和低损耗的应用场景,其封装形式和电气特性经过优化,能够在高温环境下保持稳定运行。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):34A
导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ
总栅极电荷(Qg):79nC
输入电容(Ciss):3590pF
输出电容(Coss):103pF
开关频率:高达 1MHz
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
CGA3E2NP02A101J080AA 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),仅为 2.2 毫欧,能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高开关速度,总栅极电荷 (Qg) 仅为 79 纳库仑,支持高频应用,减少开关损耗。
3. 良好的热性能,能够在高功率密度条件下长期稳定运行。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时具备优异的散热能力。
5. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适合工业及汽车级应用场景。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料,满足全球环保要求。
CGA3E2NP02A101J080AA 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. DC-DC 转换器,包括同步整流和降压/升压电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 汽车电子系统,如启停发电机和电池管理系统 (BMS)。
CGA3E2NP02A101J080AB, CGA3E2NP02A101J080AC