CGA3E2NP02A050C080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及其他电力电子应用。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),具备出色的散热性能,适合在严苛的工作环境下运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:95nC
开关频率:高达 500kHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,确保在高频应用中的优异表现。
3. 高电流处理能力,可支持大功率负载需求。
4. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的稳定运行。
5. 封装具有优秀的散热性能,有助于延长器件寿命并保持稳定性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业逆变器
5. 太阳能微逆变器
6. 电动车辆的电池管理系统(BMS)
7. 其他需要高效功率转换的场合