时间：2025/6/23 18:12:40
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CGA3E2NP01H682J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该芯片采用先进的制程工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下提供卓越的性能表现。
这款功率 MOSFET 具备优异的热特性和稳定性，适用于需要高电流承载能力和高效能量转换的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：70nC
总电容：1250pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
CGA3E2NP01H682J080AA 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，可承受高达80A的连续漏极电流。
4. 优秀的热稳定性和耐受性，支持长时间高温运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 可靠性高，使用寿命长，适用于严苛的工作环境。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 太阳能逆变器
6. 电动车辆牵引逆变器
7. 高效功率管理模块
由于其高电流承载能力和低损耗特性，CGA3E2NP01H682J080AA 成为许多高功率密度应用的理想选择。
CGA3E2NP01H682J080AB, CGA3E2NP01H682J080AC
