类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：12A（连续）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.48Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：37nC
　　输入电容(Ciss)：1300pF
　　封装类型：TO-247

IXTH12N50A具备多项优良特性，适合高性能功率转换应用。首先，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压可达500V，这使得它在高压电源系统中表现优异。其次，其导通电阻Rds(on)为0.48Ω，在Vgs=10V时能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该MOSFET的栅极电荷Qg为37nC，属于中等水平，适用于高频开关应用。输入电容Ciss为1300pF，有助于降低开关损耗并提高响应速度。TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。
　　IXTH12N50A还具备较强的过热保护能力和抗冲击电流能力，能够在严苛的工作环境中保持可靠运行。该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计和制造。

IXTH12N50A广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明电源、工业自动化设备以及家用电器等。由于其高压、中电流特性和良好的导通性能，IXTH12N50A特别适合需要高效率、高可靠性的开关应用。
　　在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，以提高能效和功率密度。在电机驱动器中，它可作为H桥的上桥或下桥开关，实现精确的电机控制。在太阳能逆变器或储能系统中，IXTH12N50A也可用于功率转换和调节，确保系统在高压环境下的稳定运行。

STP12N50M5, FQP12N50, IRFPE50, SPW20N50C3