CGA3E2NP01H4R7C080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于需要高效能量转换和快速动态响应的场景。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型,适合高密度电路板设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:35A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:90nC
开关频率:高达 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-Leadless (TOLL)
CGA3E2NP01H4R7C080AA 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(1.5mΩ),有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 高开关频率支持(高达 1MHz),使其非常适合高频应用,如 DC-DC 转换器。
3. 出色的热性能表现,允许在高温环境下稳定运行,最高可达 175℃。
4. 快速开关能力,具备低栅极电荷和优化的开关损耗。HS 标准,环保且无铅设计。
6. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率级开关元件。
2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激式拓扑结构。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)以及车载充电器。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 高效负载点(POL)转换器以及其他需要高性能功率管理的应用场景。
CGA3E2NP01H4R7C080AB, CGA3E2NP01H4R7C080AC