CGA3E2NP01H392J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业和消费类电子设备中。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,可显著提升系统的效率和稳定性。
其封装形式专为高散热性能设计,能够满足大功率应用的需求,同时支持表面贴装技术(SMT),方便自动化生产和组装。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:650V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:20A
导通电阻(典型值):45mΩ
总功耗:200W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247-3L
CGA3E2NP01H392J080AA 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保高效的电能转换,降低发热损耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
3. 高耐压能力(高达650V),适用于各种高压电路环境。
4. 内置保护功能,包括过流保护和热关断保护,提升了系统可靠性。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 支持表面贴装技术(SMT),简化了生产流程并提高了产品一致性。
7. 稳定的工作温度范围,适应极端气候条件下的应用需求。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率变换模块。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)与电机控制器。
5. 各类家电产品中的负载控制和电源管理单元。
6. LED照明驱动电路中的功率调节元件。
CGA3E2NP01H392K080AA, IRF840, STP16NF50