CGA3E2NP01H331J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种高效率电源转换场景,如 DC-DC 转换器、逆变器及电机驱动等。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计。
型号:CGA3E2NP01H331J080AA
类型:N沟道增强型MOSFET
工作电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
栅极电荷(Qg):45nC
总功耗(Ptot):25W
工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
这款功率 MOSFET 芯片具有以下特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高击穿电压 (Vds),能够承受更高的电压波动,确保在复杂电路环境下的稳定性。
3. 快速开关性能,减少了开关损耗,非常适合高频应用。
4. 优秀的热性能设计,使其能够在较高的结温下运行,从而提高可靠性。
5. 封装坚固耐用,具备良好的电气隔离和散热能力。
6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
CGA3E2NP01H331J080AA 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 光伏逆变器和 UPS 系统。
3. 电机驱动和工业自动化设备。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电源管理系统。
5. 各种需要高效功率切换的工业和消费类电子产品。
其高电压和大电流处理能力使其成为上述应用场景的理想选择。
CGA3E2NP01H331J080AB, CGA3E2NP01H331J080AC