CGA3E2C0G2A080DT0Y0N是一款高性能的陶瓷多层片式电容器(MLCC),广泛应用于高频电路、滤波器、信号调节和电源管理等场景。该型号属于高可靠性产品,具有低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感)特性,适合在要求严格的电子设备中使用。其设计符合RoHS标准,并支持表面贴装技术(SMT)。
容量:0.1μF
额定电压:50V
耐压值:63V
尺寸:0805英寸
封装类型:SMD
温度范围:-55℃至+125℃
介质材料:X7R
阻抗:小于0.01Ω@1MHz
公差:±10%
CGA3E2C0G2A080DT0Y0N采用X7R介质材料,确保了其在宽温度范围内具有稳定的电气性能。此外,该型号具备较高的抗机械应力能力,适合用在振动或冲击较大的环境中。
这款电容器的低ESR和低ESL特性使其非常适合高频应用,例如射频(RF)电路中的滤波和去耦。同时,其小尺寸设计有助于节省PCB空间,提高布局灵活性。
在生产工艺方面,CGA3E2C0G2A080DT0Y0N采用了先进的陶瓷烧结技术和镀膜工艺,确保了产品的长期稳定性和可靠性。
CGA3E2C0G2A080DT0Y0电子产品、工业控制和汽车电子等领域。具体应用场景包括:
1. 射频前端模块中的滤波和匹配网络。
2. 高速数字电路中的去耦电容。
3. 开关电源中的输入输出滤波。
4. 振荡电路中的负载电容。
5. 工业自动化设备中的信号调理电路。
CGA3E2C0G2A080DQ0Y0N
CGA3E2C0G2A080DR0Y0N
CGA3E2C0G2A080DS0Y0N