CGA3E2C0G1H332JT0Y0N 是一款高性能的电容器,属于陶瓷介质电容器系列。该元器件通常用于高频电路中以实现滤波、耦合或旁路功能。其设计采用多层陶瓷技术,确保了高可靠性和稳定性。该型号具有低等效串联电阻(ESR)和低电感特性,适用于电源管理模块和射频电路中的噪声抑制。
额定电压:6.3V
电容量:10nF
容差:±5%
工作温度范围:-55℃~+125℃
封装类型:0805
介质材料:X7R
绝缘电阻:大于10GΩ
频率特性:支持高达1GHz的应用
尺寸(长x宽):2.0mm x 1.25mm
CGA3E2C0G1H332JT0Y0N 具有出色的温度稳定性和频率响应特性。X7R 介质使其能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值变化率,适合对温度敏感的应用环境。
此外,其多层陶瓷结构提供了良好的机械强度,可以承受回流焊工艺中的热冲击。由于具备低ESR 和低电感特点,它特别适合高频应用场合下的性能优化。
与传统铝电解电容器相比,这款陶瓷电容器具有更快的瞬态响应速度以及更长的使用寿命,同时体积也更加小巧。
该型号电容器广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。例如:
- 在电源管理芯片周围作为去耦电容使用,以减少纹波和噪声干扰。
- 在射频前端电路中充当匹配网络组件,用于信号调节。
- 高速数字电路中的电源轨旁路。
- 滤波器设计中的关键元件,用于音频处理或数据传输线路的净化。
CGA3E2C0G1H332KU0Y0N
CC0805JR-4V6C104M
GRM188R61C103KE19