CGA3E2C0G1H271J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关电源等应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,从而提高了效率并降低了功耗。其封装形式为 PQFN5*6-32,能够有效提升散热性能。
这款器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合,例如工业设备、消费类电子产品以及通信设备中的电源转换模块。
型号:CGA3E2C0G1H271J080AA
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):1.5mΩ
IDS(连续漏极电流):180A
栅极电荷(Qg):49nC
输入电容(Ciss):3060pF
反向恢复时间(trr):45ns
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:PQFN5*6-32
CGA3E2C0G1H271J080AA 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),仅为 1.5mΩ,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,栅极电荷小(49nC),可降低开关损耗。
3. 高耐压能力(60V VDS),适用于多种高压应用场景。
4. 大电流承载能力(180A IDS),满足高功率需求。
5. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应极端环境条件。
6. 小型化封装设计(PQFN5*6-32),有助于节省 PCB 空间。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
CGA3E2C0G1H271J080AA 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,提供高效能的功率转换。
2. 工业电机驱动和控制,用于精确调节电机速度和方向。
3. 电动车和混合动力车中的电池管理系统(BMS),确保能量分配优化。
4. 通信设备中的负载开关和保护电路,防止过流或短路问题。
5. 消费类电子产品的充电器和适配器,实现快速充电功能。
6. 可再生能源系统的逆变器和控制器,如太阳能发电系统。
CGA3E2C0G1H271J080AB, CGA3E2C0G1H271J080AC