类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　工作电压：6V
　　反向断态电压：6V
　　峰值脉冲电流（8/20μs）：15A
　　钳位电压（@15A）：13.3V
　　响应时间：<1ns
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

ESDBU6V0AE1采用紧凑型SOD-323封装，适用于空间受限的应用场景。其低工作电压和快速响应时间使其能够有效抑制高频ESD事件，从而保护电路免受损坏。该器件具有优异的钳位性能，在15A的浪涌电流下钳位电压仅为13.3V，这有助于降低对下游设备的应力。
　　ESDBU6V0AE1的双向保护功能使其能够在正负两个方向上有效抑制瞬态电压，因此非常适合用于保护双向信号线。此外，该器件具有低漏电流，在工作电压下通常低于100nA，这有助于减少静态功耗并提高系统的能效。
　　这款TVS二极管阵列具有出色的耐用性，能够承受多次高能量瞬态事件而不影响性能。它还通过了IEC 61000-4-2（ESD抗扰度测试）标准的严格验证，确保其在极端环境下的稳定性和可靠性。这些特性使ESDBU6V0AE1成为用于通信接口（如USB、HDMI和以太网）的理想选择。

ESDBU6V0AE1广泛应用于需要高可靠性保护的电子设备，包括但不限于通信设备、消费电子产品、工业控制系统和汽车电子模块。该器件特别适用于保护高速数据线路和敏感的模拟或数字接口免受ESD和其他瞬态电压事件的影响。在USB 2.0、HDMI和以太网等高速接口中，ESDBU6V0AE1可以提供高效且低电容的保护，而不会影响信号完整性。此外，它还被用于保护便携式设备（如智能手机和平板电脑）中的精密电路，确保这些设备在恶劣环境下的稳定运行。

ESD5V3B1B05、PESD12VF1BA、ESD3V3B1B05