CGA3E2C0G1H120JT0Y0N 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信设备中的功率放大器。该器件采用先进的LDMOS工艺制造,具有高效率、高增益和高线性度的特点,能够满足现代通信系统对高频和大功率的需求。这款晶体管适用于多种频率范围内的应用,尤其是在蜂窝基站和其他无线基础设施中表现出色。
其封装形式为气密封装,能够提供良好的散热性能和可靠性,适合长时间在恶劣环境下工作。
型号:CGA3E2C0G1H120JT0Y0N
类型:射频功率晶体管
工艺:LDMOS
频率范围:700 MHz 至 3 GHz
输出功率(P1dB):120 W
增益:14 dB
效率:50 %
工作电压:28 V
封装:气密封装
CGA3E2C0G1H120JT0Y0N 提供了卓越的射频性能,其主要特点包括以下几点:
1. 高功率输出能力,能够在700 MHz至3 GHz范围内提供高达120W的输出功率。
2. 具有高增益,典型值为14 dB,减少了对外部增益补偿电路的需求。
3. 效率高达50%,有助于降低整体系统的能耗并减少热量产生。
4. 采用气密封装设计,确保了器件在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
5. 支持多载波操作,适应现代通信系统对高线性度的要求。
6. 通过优化的内部结构设计,具备优异的热管理和电气性能。
该晶体管广泛应用于需要高效射频功率放大的场景,主要包括:
1. 蜂窝基站:
- 2G、3G 和 4G 网络中的射频功率放大器。
- 新兴的5G技术中的部分低频段应用。
2. 无线通信:
- 固定无线接入设备。
- 移动无线电通信系统。
3. 广播系统:
- FM/AM广播发射机。
4. 军事与航空航天:
- 数据链路、雷达等领域的高功率射频模块。
由于其宽广的工作频率范围和强大的输出能力,CGA3E2C0G1H120JT0Y0N 成为了许多射频应用的理想选择。
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