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H5MS1222EFP-J3M-C 发布时间 时间:2025/9/2 17:59:48 查看 阅读:7

H5MS1222EFP-J3M-C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器广泛应用于需要高性能和大容量内存的电子设备中,例如个人电脑、服务器、图形卡和嵌入式系统等。H5MS1222EFP-J3M-C采用先进的DRAM技术,提供高速数据访问和稳定的工作性能。

参数

容量:2GB
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  引脚数:86-pin
  工作电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  数据宽度:16位
  时钟频率:800MHz
  工作温度范围:0°C至+85°C
  尺寸:8mm x 13mm x 1.0mm

特性

H5MS1222EFP-J3M-C 是一款高性能的DRAM芯片,具备出色的稳定性和可靠性。其采用1600Mbps的数据速率,可以提供高速的数据访问能力,适用于需要大量数据处理的应用场景。该芯片支持低功耗操作,工作电压为1.35V,有助于降低系统整体能耗,提高能效比。此外,H5MS1222EFP-J3M-C 采用86-pin FBGA封装,具有较小的封装尺寸(8mm x 13mm x 1.0mm),适合在空间受限的设备中使用。
  这款DRAM芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够有效延长数据保持时间,减少外部控制器的负担。同时,它还具备温度补偿自刷新(TCSR)功能,能够在不同温度环境下保持稳定的数据存储性能。H5MS1222EFP-J3M-C 的工作温度范围为0°C至+85°C,适用于工业级和消费级应用环境。
  此外,H5MS1222EFP-J3M-C 还支持多种操作模式,包括突发模式、预充电模式和低功耗待机模式,用户可以根据不同的应用需求进行灵活配置。这些特性使得该芯片在高性能计算、图形处理和嵌入式系统等领域具有广泛的应用前景。

应用

H5MS1222EFP-J3M-C 主要用于需要高性能内存的电子设备,如个人电脑、笔记本电脑、图形卡、服务器、嵌入式系统、工业控制设备以及高端消费电子产品。由于其高速数据访问能力和低功耗设计,该芯片也适用于需要长时间稳定运行的应用场景。

替代型号

H5MS1G12EFR-J3M-C, H5MS1G12EFR-J3M-C, H5MS1G12EFR-J3M-C

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