时间：2025/6/23 18:10:06
阅读：7
CGA3E2C0G1H070DT0Y0N是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
型号：CGA3E2C0G1H070DT0Y0N
类型：N沟道功率MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：18A
最大脉冲漏极电流(Ip)：60A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：2250pF
输出电容(Coss)：105pF
反向传输电容(Crss)：55pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
CGA3E2C0G1H070DT0Y0N采用超结技术，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频工作模式，适合现代高效电源设计。
3. 高额定电压（650V），适用于多种高压应用场景。
4. 具备良好的热稳定性和耐用性，确保在极端条件下可靠运行。
5. 小巧的封装尺寸和高效的散热设计，方便系统集成。
6. 符合RoHS标准，环保且易于维护。
该功率MOSFET广泛应用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流电路。
3. 电机驱动控制中的逆变桥。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换部分。
6. 汽车电子领域中的负载开关和电池保护电路。
IRFP250N, STP18NF65, FDP18N65C3
