晶体管类型：双极型晶体管（BJT）阵列
　　晶体管配置：2 个独立 NPN 晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：100 至 800（根据工作电流不同）
　　封装类型：TSSOP

DCMO80120-10 的主要特性包括高频率响应、低噪声系数以及宽广的工作温度范围，这使其非常适合用于射频（RF）放大、音频放大和模拟信号处理等应用。由于其内部两个 NPN 晶体管的独立性，可以灵活地用于构建差分放大器、推挽放大器等电路结构。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作。
　　该晶体管的 hFE 值范围较宽，允许设计者根据具体需求选择合适的工作点，从而优化电路的性能。DCMO80120-10 还具备较低的输入电容，有助于减少高频信号的失真，提高系统的整体性能。此外，TSSOP 封装的设计使其在高密度 PCB 布局中具有良好的适应性，便于自动化生产和组装。

DCMO80120-10 主要应用于需要高增益和高频率响应的模拟电路中。典型的应用包括射频（RF）信号放大器、音频前置放大器、差分放大电路、推挽输出级、传感器信号调理电路以及工业自动化控制系统中的模拟信号处理模块。由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件也常用于汽车电子、消费电子和通信设备等领域。在设计中，DCMO80120-10 可以用于替代分立的 NPN 晶体管，从而减少电路板的空间占用并提高系统的集成度。

BC847BDSX-10, PN2222A, 2N3904