CGA2B2X7R1E223M050BD 是一款由村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于 GRM 系列。该型号采用了 X7R 温度特性材料,具有较高的温度稳定性和可靠性,适用于多种电子设备中的耦合、滤波和去耦等应用。其封装尺寸为 0402 英寸(公制 1005),适合高密度贴装的电路设计。
容值:2.2μF
额定电压:50V
封装尺寸:1005 (公制) / 0402 (英寸)
温度特性:X7R (-55°C ~ +125°C,ΔC ≤ ±15%)
耐焊性:符合无铅焊接要求
ESL:低
ESR:低
CGA2B2X7R1E223M050BD 的主要特点是采用了 X7R 材料,这使得它在宽温度范围内具有稳定的电容量变化率(±15%)。此外,其小型化设计使其非常适合用于便携式电子设备和高密度 PCB 贴装场景。该型号的低 ESL 和低 ESR 特性有助于提高高频性能,同时具备良好的抗机械应力能力。另外,其额定电压为 50V,可以满足大多数消费类电子产品的电源管理需求。
由于采用多层结构设计,CGA223M050BD 在高频环境下表现出较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而提升了信号完整性和系统稳定性。此外,这款电容器还符合 RoHS 标准,支持无铅焊接工艺,能够适应现代电子制造过程中的高温回流焊环境。
CGA2B2X7R1E223M050BD 广泛应用于各种消费类电子产品中,包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线通信模块以及音频设备等。其典型应用场景包括:
1. 电源滤波:用于去除电源中的纹波和噪声,确保供电质量。
2. 去耦:为 IC 提供稳定的局部电源,减少高频干扰。
3. 信号耦合:在放大器或滤波器电路中传递交流信号,同时隔离直流成分。
4. 高频电路:由于其低 ESL 和低 ESR 特性,特别适合高频信号处理和射频电路。
5. 存储器模块:为 DDR 内存和其他高速数据传输设备提供可靠的旁路电容。
GRM155R61E223KA12D
CC0402KRX7R8BB224M
TMK212X7R1E224K