时间：2025/7/10 11:21:02
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CGA2B2NP01H681J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于工业、汽车和消费电子领域，支持高电流负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
持续漏极电流 Id：120A
导通电阻 Rds(on)：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷 Qg：95nC
总电容 Ciss：4750pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CGA2B2NP01H681J050BA 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用。
3. 高电流承载能力，确保在大负载条件下的可靠性。
4. 优异的热稳定性，能够在极端温度范围内正常工作。
5. 内置反向恢复二极管，降低开关噪声和电磁干扰。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流器或功率开关。
3. 电动车辆和工业设备中的电机驱动电路。
4. 大功率 LED 照明驱动。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
6. 各种需要高效功率转换和控制的场合。
CGA2B2NP01H681J050BB, CGA2B2NP01H681J050BC
