时间：2025/7/1 6:16:54
阅读：15
CGA2B2NP01H100D050BA 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管，采用增强型场效应晶体管 (eGaN) 技术。该器件适用于高频和高效率功率转换应用，例如开关电源、DC-DC 转换器和无线充电设备。其设计优化了开关性能和导通电阻，能够显著提高系统效率并减少热损耗。
该型号具有低导通电阻和快速开关速度，同时集成了全面的保护功能以确保在复杂工作条件下的稳定性。此外，它还采用了先进的封装技术以增强散热性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：10nC
反向恢复时间：10ns
工作结温范围：-40℃至+150℃
这款 GaN 晶体管具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，从而提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率，适合高频应用。
3. 内置过流保护和过温保护功能，增强了器件的可靠性。
4. 小尺寸封装，有助于节省电路板空间。
5. 高度兼容传统 MOSFET 驱动器，便于升级现有设计。
6. 支持宽范围输入电压，适应性强。
CGA2B2NP01H100D050BA 广泛应用于需要高效功率转换和紧凑设计的场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如服务器电源和通信电源。
2. 电动汽车 (EV) 充电器和车载 DC-DC 转换器。
3. 工业电机驱动和伺服控制。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 无线充电发射端和接收端模块。
6. 高频 DC-DC 转换器及脉冲宽度调制 (PWM) 控制器。
CGA2B2NP01H120D030BA
CGA2B2NP01H80D070BA
CGA2B2NP01H150D020BA
