CGA2B2NP01H050C050BA是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动以及各种开关应用。该芯片采用先进的制造工艺,在确保高效率的同时,也提供了优异的热性能和可靠性。它适用于工业设备、消费类电子产品及汽车电子系统等领域的多种应用场景。
这款功率MOSFET具有较低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。同时,其快速开关特性和出色的抗电磁干扰能力,使其成为需要高频工作的应用的理想选择。
型号:CGA2B2NP01H050C050BA
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4mΩ(典型值,条件为Vgs=10V)
Id(持续漏极电流):90A
Qg(栅极电荷):38nC
fsw(最大工作频率):1MHz
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升效率。
2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
3. 快速开关速度,适合高频工作场景。
4. 良好的热性能,保证了长时间运行时的稳定性。
5. 强大的抗电磁干扰能力,提高了在复杂环境下的可靠性和兼容性。
6. 封装坚固耐用,易于集成到各种电路设计中。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电动机驱动控制,如直流无刷电机(BLDC)和步进电机。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
4. 工业自动化设备中的功率调节与管理。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种便携式和消费类电子产品的电池充电管理。
CGA2B2NP01H050C050AA, CGA2B2NP01H050C050AB