CGA2B2NP01H010C050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率功率转换和开关应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于工业、消费电子以及汽车领域中的多种应用场景。
该型号属于沟道增强型 MOSFET,其设计能够显著降低传导损耗并提高系统整体效率。此外,它还具有出色的热性能和耐受能力,适合需要高可靠性和稳定性的电路设计。
类型:N沟道 MOSFET
电压等级:60V
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
连续漏极电流(Id):95A(最大值,在 25℃ 时)
栅极电荷(Qg):85nC(典型值)
输入电容(Ciss):3700pF(典型值)
总功耗:200W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关特性,适合高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能量,增强了器件的鲁棒性。
4. 优异的热稳定性,确保在极端条件下也能保持正常工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC/DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 汽车电子系统
6. 工业自动化设备
7. LED 驱动电路
8. 充电器及适配器
CGA2B2NP01H005C050BA, CGA2B2NP01H015C050BA