时间：2025/7/3 22:01:29
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CGA2B2NP01H010C050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率功率转换和开关应用。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于工业、消费电子以及汽车领域中的多种应用场景。
该型号属于沟道增强型 MOSFET，其设计能够显著降低传导损耗并提高系统整体效率。此外，它还具有出色的热性能和耐受能力，适合需要高可靠性和稳定性的电路设计。
类型：N沟道 MOSFET
电压等级：60V
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
连续漏极电流（Id）：95A（最大值，在 25℃ 时）
栅极电荷（Qg）：85nC（典型值）
输入电容（Ciss）：3700pF（典型值）
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能量，增强了器件的鲁棒性。
4. 优异的热稳定性，确保在极端条件下也能保持正常工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 汽车电子系统
6. 工业自动化设备
7. LED 驱动电路
8. 充电器及适配器
CGA2B2NP01H005C050BA, CGA2B2NP01H015C050BA
