时间：2025/6/28 12:29:50
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CGA2B2C0G1H180J050BD 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和性能。
这款功率晶体管在设计上注重散热性能和电气稳定性，适合高电流和高电压的工作环境。
型号：CGA2B2C0G1H180J050BD
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：180V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
总功耗(Ptot)：240W
工作温度范围(Top)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CGA2B2C0G1H180J050BD 具有非常低的导通电阻，仅为 1.6 毫欧，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
该器件的栅极电荷较低（75nC），可以实现快速开关切换，从而降低开关损耗。
其漏源极击穿电压为 180V，能够在较高电压的应用场景下可靠运行。
连续漏极电流高达 50A，确保其在大电流负载条件下表现稳定。
采用 TO-247 封装，提供良好的散热性能，并且易于集成到各种功率电子设备中。
工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃，适应多种恶劣环境下的使用需求。
CGA2B2C0G1H180J050BD 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机控制器以及各类工业和汽车电子系统中。
由于其高效的功率转换能力，它非常适合用于需要高能效和小体积解决方案的设计项目。
此外，这款 MOSFET 在电动工具、家用电器和 LED 驱动器等领域也有广泛应用。
CGA2B2C0G1H150J040BD
IRF840
FQP50N06L
