CGA2B2C0G1H020C050BA 是一款由罗姆(ROHM)生产的功率半导体器件,属于 MOSFET 系列。该型号采用了先进的沟槽式工艺技术制造,具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点。这种 MOSFET 器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高效功率转换的场合。
该产品采用 TO-263-3 封装形式,适合表面贴装工艺,具备良好的散热性能和可靠性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:95nC
总热阻(结到环境):40℃/W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
这款 MOSFET 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度,能够支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
5. 优秀的热性能设计,确保在高温环境下仍能稳定运行。
6. 提供了更高的电流承载能力,适应大功率应用场景。
CGA2B2C0G1H020C050BA 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器,例如汽车电子系统中的电压调节模块。
3. 电机驱动控制,适用于家用电器及工业自动化设备。
4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
5. 各类需要高效功率管理的消费类电子产品。
RFP30N06LE
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L