类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：30A（@Tc=25℃）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（@Vgs=10V, Id=15A）
　　导通电阻（Rds(on)）：6.8mΩ（@Vgs=4.5V, Id=15A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V（典型值约1.6V）
　　输入电容（Ciss）：2200pF（@Vds=10V）
　　输出电容（Coss）：650pF（@Vds=10V）
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散（Pd）：3.5W（@Tc=25℃）

CG7411AMT采用先进的沟槽栅极工艺设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。这种低Rds(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长续航时间并减少发热问题。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为5.5mΩ，在Vgs=4.5V时也仅为6.8mΩ，表现出优异的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或PWM控制器驱动。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），能够在高频开关环境中实现高效的能量转换，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。同时，其输入电容约为2200pF，输出电容为650pF，这些参数优化了开关过程中的动态损耗，使得系统在高频率下仍能保持较高的效率。此外，器件内部集成的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=25ns），有效抑制了开关瞬态过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性和安全性。
　　SOP-8封装不仅提供了良好的散热路径，还支持双面散热设计，通过PCB上的散热焊盘将热量传导至外部环境，进一步增强了热管理能力。该封装符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于工业级和消费级产品的大规模生产。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保在极端温度环境下依然可靠运行。综合来看，CG7411AMT是一款高性能、高性价比的功率MOSFET解决方案，特别适用于对尺寸、效率和成本敏感的应用领域。

CG7411AMT广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合中低电压、大电流的开关控制场合。常见应用包括同步降压变换器（Buck Converter），作为上下桥臂开关管使用，利用其低导通电阻和高开关速度来提高转换效率；在DC-DC电源模块中，它可用于稳压输出电路，支持笔记本电脑、平板电脑、路由器等设备的供电管理。此外，该器件也常用于锂电池保护板，担任充放电通路的主控开关，配合保护IC实现过流、短路和反接保护功能。
　　在电机驱动领域，CG7411AMT可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为功率开关元件控制电机正反转及调速。其高电流承载能力和快速响应特性使其能够应对启动瞬间的大电流冲击，保障系统稳定运行。同时，该MOSFET也可用于LED驱动电源、USB PD快充适配器、移动电源（Power Bank）等便携式能源设备中，作为同步整流或负载开关使用，以降低功耗并提升能量利用率。
　　由于其SOP-8封装的小型化优势，CG7411AMT非常适合空间受限的高密度PCB布局设计，广泛用于智能手机、智能穿戴设备、IoT终端等消费类电子产品。此外，在工业控制、智能家居网关、传感器供电单元等应用场景中也有广泛应用。凭借其出色的电气性能和封装适应性，CG7411AMT已成为众多工程师在进行中低端功率设计时的首选器件之一。

Si3456EDV-T1-E3
　　AON6260
　　IRLR7843PbF
　　FDS6680A