时间：2025/9/11 5:17:20
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CG2H40045P是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率和高效能的功率转换应用。这款器件由华润微电子（CRMicro）制造，适用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等场景。CG2H40045P采用先进的沟槽栅技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，从而减少功率损耗并提高整体系统效率。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。这款MOSFET具有良好的热稳定性和过载能力，能够在较宽的温度范围内稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏-源电压（Vds）：40V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
CG2H40045P具备多项高性能特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件采用先进的沟槽栅技术，提供了良好的开关性能，使开关损耗最小化。
此外，CG2H40045P具有高电流承载能力和优异的热稳定性，使其能够在高功率密度应用中保持稳定运行。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。其栅极驱动要求较低，适用于多种控制电路设计，包括同步整流、高频DC-DC转换以及电池管理系统等应用。
此外，CG2H40045P符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计要求。
CG2H40045P广泛应用于各种高功率和高频电力电子系统中。主要应用场景包括高效能电源适配器、DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制电路。
在服务器电源、通信电源和UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET可用于高效率的功率转换和负载管理。同时，由于其优异的导通和开关性能，CG2H40045P也适用于电动汽车（EV）和储能系统中的电池充放电管理电路。
在消费类电子产品中，如大功率LED驱动电源、智能家电和高功率密度适配器中，该器件也能提供出色的性能和可靠性。
SiHF120N40E、IRF120N40D、FDPF120N40、CG2H40090P
