CG2H40045P是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率和高效能的功率转换应用。这款器件由华润微电子(CRMicro)制造,适用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等场景。CG2H40045P采用先进的沟槽栅技术,提供较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关性能,从而减少功率损耗并提高整体系统效率。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。这款MOSFET具有良好的热稳定性和过载能力,能够在较宽的温度范围内稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):120A
最大漏-源电压(Vds):40V
最大栅-源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):140nC(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
CG2H40045P具备多项高性能特性,首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。其次,该器件采用先进的沟槽栅技术,提供了良好的开关性能,使开关损耗最小化。
此外,CG2H40045P具有高电流承载能力和优异的热稳定性,使其能够在高功率密度应用中保持稳定运行。TO-220封装形式提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性,能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。其栅极驱动要求较低,适用于多种控制电路设计,包括同步整流、高频DC-DC转换以及电池管理系统等应用。
此外,CG2H40045P符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品的设计要求。
CG2H40045P广泛应用于各种高功率和高频电力电子系统中。主要应用场景包括高效能电源适配器、DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制电路。
在服务器电源、通信电源和UPS(不间断电源)系统中,该MOSFET可用于高效率的功率转换和负载管理。同时,由于其优异的导通和开关性能,CG2H40045P也适用于电动汽车(EV)和储能系统中的电池充放电管理电路。
在消费类电子产品中,如大功率LED驱动电源、智能家电和高功率密度适配器中,该器件也能提供出色的性能和可靠性。
SiHF120N40E、IRF120N40D、FDPF120N40、CG2H40090P