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CG2H40045P 发布时间 时间:2025/9/11 5:17:20 查看 阅读:68

CG2H40045P是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率和高效能的功率转换应用。这款器件由华润微电子(CRMicro)制造,适用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等场景。CG2H40045P采用先进的沟槽栅技术,提供较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关性能,从而减少功率损耗并提高整体系统效率。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。这款MOSFET具有良好的热稳定性和过载能力,能够在较宽的温度范围内稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):120A
  最大漏-源电压(Vds):40V
  最大栅-源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):140nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220

特性

CG2H40045P具备多项高性能特性,首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。其次,该器件采用先进的沟槽栅技术,提供了良好的开关性能,使开关损耗最小化。
  此外,CG2H40045P具有高电流承载能力和优异的热稳定性,使其能够在高功率密度应用中保持稳定运行。TO-220封装形式提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。
  该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性,能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。其栅极驱动要求较低,适用于多种控制电路设计,包括同步整流、高频DC-DC转换以及电池管理系统等应用。
  此外,CG2H40045P符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品的设计要求。

应用

CG2H40045P广泛应用于各种高功率和高频电力电子系统中。主要应用场景包括高效能电源适配器、DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制电路。
  在服务器电源、通信电源和UPS(不间断电源)系统中,该MOSFET可用于高效率的功率转换和负载管理。同时,由于其优异的导通和开关性能,CG2H40045P也适用于电动汽车(EV)和储能系统中的电池充放电管理电路。
  在消费类电子产品中,如大功率LED驱动电源、智能家电和高功率密度适配器中,该器件也能提供出色的性能和可靠性。

替代型号

SiHF120N40E、IRF120N40D、FDPF120N40、CG2H40090P

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CG2H40045P参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格120 : ¥1,413.29325托盘
  • 系列GaN
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 技术HEMT
  • 配置-
  • 频率4GHz
  • 增益16dB
  • 电压 - 测试28 V
  • 额定电流(安培)-
  • 噪声系数-
  • 电流 - 测试400 mA
  • 功率 - 输出45W
  • 电压 - 额定120 V
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳440206
  • 供应商器件封装440206