IXGE75N60Z 时间：2025/8/5 19:24:36 阅读：38

IXGE75N60Z是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。这款MOSFET设计用于高效能的电源转换系统，例如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和电机控制。IXGE75N60Z采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高速开关特性。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.125Ω
　　栅极电荷（Qg）：150nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　极数：3（漏极、栅极、源极）

特性

IXGE75N60Z功率MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件具有较高的电流承载能力，适合用于高功率密度的设计。此外，IXGE75N60Z的高速开关特性使其适用于高频操作，减少了开关损耗。
　　该MOSFET还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其设计考虑了短路耐受能力和雪崩能量额定值，从而提高了器件的可靠性和耐用性。在保护特性方面，IXGE75N60Z具有较高的dv/dt耐受能力，有助于防止在开关过程中因电压快速变化而引起的故障。