CEU04N6 时间：2025/8/24 22:40:10 阅读：8

CEU04N6是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和开关电路中。该器件具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等应用场景。CEU04N6采用先进的沟槽技术，能够在低电压下提供高效的功率控制性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A（连续）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约30mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：13nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP-8、TSSOP-8等

特性

CEU04N6作为一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力以及出色的开关性能。该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，有助于降低导通损耗并提升器件的整体效率。CEU04N6在导通状态下具有极低的RDS(on)值，通常在30mΩ左右，这使得它在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，减少热量产生。
　　此外，CEU04N6具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定的工作状态，适用于要求较高的电源管理系统。其栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，适用于多种驱动电路设计。该MOSFET还具备较高的dv/dt抗扰能力，能够在高速开关应用中保持良好的稳定性。
　　在封装方面，CEU04N6通常采用SOP-8或TSSOP-8等小型表面贴装封装，便于在PCB上进行高密度布局，同时具备良好的散热性能。这种封装形式也使得该器件非常适合用于便携式电子设备、电源管理模块以及工业控制系统中。

应用

CEU04N6广泛应用于各类电源管理系统和开关电路中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、LED驱动器以及电池供电设备中的功率控制部分。由于其具备低导通电阻和高效率的特点，该器件在移动电源、笔记本电脑适配器、智能电表以及工业自动化设备中也有广泛应用。
　　在DC-DC转换器中，CEU04N6作为主开关或同步整流元件，能够有效提高转换效率并减少发热；在电机驱动电路中，它可用于控制电机的启停和调速；在电池管理系统中，CEU04N6可以作为充放电控制开关，确保系统的安全运行。此外，该器件也可用于LED背光驱动、智能家电以及汽车电子等领域的功率控制应用。