CESDB5V0AT3是一款由知名半导体厂商生产的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态电压的损害。该器件具有低电容和快速响应时间的特点,适用于高速数据线、接口电路以及其他敏感电子系统的保护。
该型号采用超小型封装设计,非常适合对空间要求较高的应用场合。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业自动化领域。
额定电压:5V
峰值脉冲电流:±12A
最大箝位电压:8.9V
响应时间:≤1ps
结电容:0.6pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:DFN2010-6L(2mm x 1mm)
CESDB5V0AT3具备以下显著特点:
1. 极低的结电容(0.6pF),非常适合高速信号线路的保护。
2. 快速响应时间(≤1ps),能够有效抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的静电防护能力,符合IEC61000-4-2国际标准(接触放电±15kV,空气放电±8kV)。
4. 小型化封装设计(DFN2010-6L),节省PCB空间。
5. 工℃至+150℃),适应各种环境条件下的使用需求。
6. 符合RoHS环保标准,无铅无卤素。
CES以下场景:
1. USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据线的ESD保护。
2. 移动设备(如智能手机、平板电脑)中的射频电路保护。
3. 汽车电子系统中CAN总线、LIN总线等通信线路的防护。
4. 工业自动化设备中的传感器接口保护。
5. 通信基站、网络交换机等设备中关键信号线路的保护。
PESD5V0HT2,
CDSOD5V0A,
SM712