时间：2025/6/4 1:52:48
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CESDB5V0AT3是一款由知名半导体厂商生产的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压的损害。该器件具有低电容和快速响应时间的特点，适用于高速数据线、接口电路以及其他敏感电子系统的保护。
该型号采用超小型封装设计，非常适合对空间要求较高的应用场合。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业自动化领域。
额定电压：5V
峰值脉冲电流：±12A
最大箝位电压：8.9V
响应时间：≤1ps
结电容：0.6pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN2010-6L（2mm x 1mm）
CESDB5V0AT3具备以下显著特点：
1. 极低的结电容（0.6pF），非常适合高速信号线路的保护。
2. 快速响应时间（≤1ps），能够有效抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的静电防护能力，符合IEC61000-4-2国际标准（接触放电±15kV，空气放电±8kV）。
4. 小型化封装设计（DFN2010-6L），节省PCB空间。
5. 工℃至+150℃），适应各种环境条件下的使用需求。
6. 符合RoHS环保标准，无铅无卤素。
CES以下场景：
1. USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据线的ESD保护。
2. 移动设备（如智能手机、平板电脑）中的射频电路保护。
3. 汽车电子系统中CAN总线、LIN总线等通信线路的防护。
4. 工业自动化设备中的传感器接口保护。
5. 通信基站、网络交换机等设备中关键信号线路的保护。
PESD5V0HT2,
CDSOD5V0A,
SM712
