CESD5V0M5是一款基于硅材料的TVS(瞬态电压抑制器)二极管,主要用于电路中的瞬态电压保护。该器件具有低电容、快速响应时间以及出色的ESD防护能力,能够有效保护敏感电子设备免受静电放电和其他瞬态过电压的损害。
其设计符合IEC 61000-4-2标准,广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统的信号线保护场景。
类型:TVS二极管
工作电压(VRWM):5.0V
击穿电压(VBR):5.8V
最大箝位电压(VC):22.9V
峰值脉冲电流(IPP):5A
电容(C):3pF
结电容(CT):3pF
反向漏电流(IR):1μA
响应时间:1ps
CESD5V0M5具有以下显著特性:
1. 超低电容设计,适合高速数据线保护。
2. 极快的响应时间,可迅速抑制瞬态电压尖峰。
3. 符合AEC-Q101标准,适用于汽车级应用。
4. 小型化封装,便于PCB布局优化。
5. 提供可靠的ESD防护,支持高达±15kV(空气放电)和±8kV(接触放电)。
6. 工作温度范围广(-55°C至+150°C),适应各种严苛环境。
CESD5V0M5适用于多种应用场景:
1. USB接口、HDMI接口等高速数据线的ESD保护。
2. 移动设备、智能手机和平板电脑的信号线保护。
3. 工业自动化设备中的传感器信号线防护。
4. 汽车电子系统中的CAN/LIN总线保护。
5. 通信设备中射频前端的瞬态电压防护。
6. 医疗设备及消费类电子产品的静电放电保护方案。
PESD5V0UA, SM712, SMP5V0A