时间：2025/5/23 21:50:33
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CESD3V3D5 是一款基于硅雪崩二极管技术的低电容ESD（静电放电）保护二极管。它专为高速数据线和高频信号线设计，提供卓越的瞬态电压抑制能力和快速响应时间。其典型应用场景包括USB、HDMI、以太网等接口的静电防护。该器件具有低电容特性，确保对高速信号的影响降到最低。
这款ESD保护二极管采用SOD-323封装形式，体积小巧，适合空间受限的应用场合。它符合IEC 61000-4-2国际标准，能够承受高达±30kV（空气放电）和±30kV（接触放电）的ESD冲击。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：5A
动态电阻：≤1Ω
电容：≤0.3pF
响应时间：≤1ns
封装：SOD-323
1. CESD3V3D5 提供了超低的负载电容（≤0.3pF），这对于高速信号传输至关重要，因为它可以减少信号失真和延迟。
2. 它具备快速响应时间（≤1ns），能够在瞬态电压威胁到来时迅速钳位，保护后端电路不受损害。
3. 高度可靠的ESD防护能力使其能有效抵御高达±30kV的静电放电，从而保障电子设备在恶劣环境下的稳定性。
4. 小型化的SOD-323封装不仅节省了PCB板空间，还简化了设计与装配流程。
5. 具备单向和双向配置选择，能够灵活适应不同的电路需求。
CESD3V3D5 广泛应用于需要高性能ESD保护的场景，例如：
1. 高速数据接口保护，如USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort等。
2. 移动设备中的射频线路保护，比如手机、平板电脑中的Wi-Fi、蓝牙模块。
3. 工业控制系统的通信总线保护，例如RS-485、CAN Bus。
4. 汽车电子中的传感器接口保护，如摄像头模块、雷达系统等。
5. 其他高频信号线的静电防护，如音频视频输入输出端口。
PESD3V3BAT,SMLB3V3A,ESD3V3MCT-TD,
