型号：UTC2N60
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：2A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.0Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220/TO-220F

UTC2N60具备多项关键特性，使其在高压开关应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于市电整流后的高压环境中，例如在220V AC输入的开关电源中作为主开关管使用。这一高耐压能力确保了器件在电网波动或雷击浪涌等异常条件下仍能保持稳定运行，提高了系统的可靠性和安全性。其次，UTC2N60的导通电阻RDS(on)典型值为3.0Ω，在同类600V N沟道MOSFET中处于较低水平，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升电源转换效率，并降低散热需求，从而允许更紧凑的设计。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性与长期可靠性。其最大连续漏极电流为2A（在25℃下），结合50W的最大功耗能力，可在适当的散热条件下支持较高负载的应用。此外，UTC2N60的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量较少，有利于提高开关频率并降低驱动损耗，特别适合用于高频PWM控制电路中。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容标准逻辑电平驱动信号，可直接由控制器如UC3842等驱动，无需额外的电平转换电路。
　　UTC2N60还具备优良的开关特性，包括快速的开启和关断时间，减少了开关过程中的交越损耗，进一步提升了能效。器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复速度，有助于抑制电压振铃和电磁干扰（EMI），改善系统EMC性能。同时，该MOSFET符合RoHS环保要求，无铅封装，适用于现代绿色电子产品设计。其TO-220封装不仅便于安装散热片，也支持通孔焊接，适合自动化生产和维修更换。综合来看，UTC2N60凭借其高耐压、低导通电阻、良好开关性能和高可靠性，成为众多中低功率电源拓扑中的理想选择。

UTC2N60广泛应用于多种电力电子领域，尤其是在需要高效、高可靠性的开关电源设计中表现突出。最常见的应用场景是反激式（Flyback）开关电源，作为主开关管用于AC-DC转换器中，适用于适配器、充电器、LED照明电源等产品。由于其600V的高耐压能力，可以直接连接在桥式整流后的母线电压上，适应全球通用输入电压范围（85V~265V AC）。在这些应用中，UTC2N60通过高频PWM调制实现能量传递，配合变压器实现电气隔离和电压变换。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在高压输出或宽输入范围的工业电源系统中。它还可作为电机驱动电路中的开关元件，控制小功率直流电机或步进电机的启停与方向切换。在LED恒流驱动电源中，UTC2N60可用于初级侧开关，配合电流检测与反馈控制实现稳定的输出电流，保障LED光源的寿命与光效。
　　其他应用包括逆变器、UPS不间断电源、家电控制模块（如微波炉、洗衣机中的电源部分）、智能电表电源单元以及光伏系统中的辅助电源电路。由于其具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，UTC2N60也能在存在感性负载或电压瞬变的恶劣电气环境中可靠工作。其TO-220封装便于加装散热片，适合长时间持续运行的工业设备。总之，UTC2N60适用于所有需要中等电流、高压开关功能的嵌入式电源系统，是一种通用性强、成本效益高的功率开关解决方案。

KIA2N60, STP2N60, FQP2N60, IRF2N60, AP2N60