工作电压：3.3V
　　钳位电压：6.8V @ Ipp = 1A
　　最大反向工作电压：3.3V
　　最大反向漏电流：0.1uA @ 3.3V
　　ESD 保护能力：±15kV（接触放电）
　　响应时间：小于 1ns
　　电容值：典型值 0.3pF（频率 1MHz）
　　封装类型：DFN-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

CESD3V3D5 ZE 的核心特性在于其卓越的 ESD 保护能力，能够承受高达 ±15kV 的静电放电，有效防止因静电引起的电路损坏。该器件采用先进的硅雪崩技术，确保在瞬态电压事件中迅速导通并将能量泄放到地，从而保护下游电路。其低钳位电压特性（6.8V @ 1A）使得在保护过程中对被保护器件的应力较小，提高了整体系统的可靠性。
　　CESD3V3D5 ZE 采用 DFN-6 封装，体积小巧，非常适合空间受限的设计，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。该封装还提供了良好的热性能，有助于在多次 ESD 事件中保持稳定的工作状态。
　　此外，该器件具有极低的寄生电容（典型值 0.3pF），这使其非常适合用于高速数据线路保护，例如 USB 3.0、HDMI 和以太网接口，确保在高速信号传输过程中不会引入显著的信号衰减或失真。
　　其低漏电流特性（<0.1uA @ 3.3V）也保证了在正常工作条件下对系统功耗的影响极小，非常适合用于低功耗设计中。响应时间小于 1ns，确保了在瞬态事件发生时能够迅速做出反应，提供即时的保护作用。

CESD3V3D5 ZE 主要应用于需要高精度 ESD 保护的电子设备中，特别适用于高速数据传输接口和电源线路的保护。常见应用包括 USB 接口、HDMI 接口、以太网端口、音频/视频连接器、LCD 显示模块以及便携式消费电子产品中的敏感 IC 保护。
　　在智能手机和平板电脑中，该器件用于保护主处理器、摄像头模块、Wi-Fi 和蓝牙芯片组等关键组件免受静电放电和瞬态电压的影响。在工业控制设备中，CESD3V3D5 ZE 可用于保护通信接口（如 RS-485、CAN 总线）免受外部电磁干扰和静电放电的影响。
　　由于其低电容和快速响应特性，该器件也广泛应用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）、驾驶辅助系统（ADAS）和车载网络接口，以提高系统的可靠性和抗干扰能力。
　　此外，CESD3V3D5 ZE 还适用于医疗设备、测试仪器和通信基站等对信号完整性和系统稳定性要求较高的应用场合。

PESD3V3S5 ZE, CESD3V3D-LB, CESD3V3D5X ZE