时间：2025/5/23 15:20:16
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CESD323LC5VB-M 是一款基于硅技术的高效静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为高速信号线提供瞬态电压抑制功能。该器件采用超低电容设计，适合于高速数据接口和射频应用。其封装小巧，能够有效节省PCB空间，同时具备高可靠性和鲁棒性。广泛应用于USB、HDMI、以太网等高速接口电路中。
工作电压：±20V
响应时间：1ns
最大箝位电压：18V
反向漏电流：1μA（最大值，在20V下）
结电容：0.4pF（典型值）
封装形式：LC5
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 超低结电容设计，适合高速信号传输。
2. 极快的响应时间，可有效抑制瞬态电压威胁。
3. 高度集成的多通道保护功能，减少外部元件数量。
4. 符合IEC 61000-4-2国际标准，支持高达±30kV接触放电保护。
5. 小型化封装，便于在紧凑型设计中使用。
6. 可靠性强，适用于工业级和消费级电子设备。
1. USB 2.0/3.0 数据线保护
2. HDMI 和 DisplayPort 接口防护
3. 以太网收发器保护
4. 移动设备中的射频前端保护
5. 工业控制设备中的通信端口防护
6. 汽车电子系统中的高速数据链路保护
PESD5V0H2_LC5, SM712LC5VB, SP1015LC5
