时间:2025/12/24 8:22:32
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CESD3020LC3V3U 是一款基于硅雪崩技术的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列,专为高速信号线提供瞬态电压抑制和 ESD 保护而设计。该器件具有低电容特性,非常适合用于高速数据接口,如 USB、HDMI 和其他高速通信协议。
其封装小巧,适合高密度电路板布局,并且能够在不影响信号完整性的前提下提供强大的保护功能。
工作电压:3.3V
最大工作电压:4V
箝位电压:6V
电容:0.3pF
响应时间:1ns
峰值脉冲电流:2A
引脚数量:6
封装类型:SOT-23-6
CESD3020LC3V3U 具有以下显著特性:
1. 极低的负载电容(0.3pF),对高速信号的影响非常小。
2. 快速响应时间(1ns),能够迅速抑制瞬态电压。
3. 高度可靠的 ESD 保护性能,符合 IEC 61000-4-2 国际标准,接触放电可达到 ±8kV,空气放电可达 ±15kV。
4. 小巧的 SOT-23-6 封装形式,节省 PCB 空间。
5. 双向保护结构,适用于差分信号线路。
6. 工作电压范围宽(最高支持到 4V),兼容多种常见电源电压应用环境。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
该型号广泛应用于各种需要 ESD 保护的电子设备中,具体包括:
1. 高速数据接口保护,例如 USB 2.0/3.0、HDMI、DP(DisplayPort)、MIPI 等。
2. 消费类电子产品中的音频视频信号线保护。
3. 工业控制系统的通信总线保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线等通信线路保护。
5. 无线通信设备中的射频信号线保护。
由于其超低电容和快速响应时间,特别适合需要高频信号传输的场景。
PESD3V3S1BL, SMAJ4.0CA, TPD2E002