时间：2025/7/10 11:08:02
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CESD1910UC5VU 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过电压事件的影响。该器件具有极低的电容特性，非常适合高速数据线和高频信号的应用场景。
该器件采用了DFN封装形式，具有超小型化、高可靠性和良好的热稳定性特点，广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：14A
箝位电压：21.6V
响应时间：小于等于1ps
结电容：0.7pF
反向漏电流：小于等于1uA
封装类型：DFN1006-2
工作温度范围：-55℃至+150℃
CESD1910UC5VU 具有以下显著特性：
1. 超低电容设计使其适用于高速信号线路保护。
2. 快速响应时间能够有效抑制瞬态过电压威胁。
3. 高度可靠的硅制工艺确保其在恶劣环境下依然保持稳定性能。
4. 小型化的DFN封装有助于节省PCB空间，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
5. 宽广的工作温度范围保证了其在极端条件下的可用性。
这款 TVS 二极管适合于各种高速接口电路的保护，包括但不限于：
1. USB 3.0/3.1 数据线保护
2. HDMI 和 DisplayPort 接口保护
3. 高速以太网和光纤通道
4. 移动设备中的射频前端保护
5. 工业自动化设备中的信号链路保护
其低电容特性特别适合那些对信号完整性要求较高的应用场景。
PESD1910BAB, SM712, SMPUF5.0-HT
