晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益带宽乘积（GBW）：100MHz

LDTA114GWT1G 具有优异的高频性能，过渡频率（fT）可达 250MHz，使其适用于高频放大电路。该器件的电流增益带宽乘积（GBW）为 100MHz，能够在较宽的频率范围内保持良好的放大性能。
　　其最大集电极-发射极电压为 100V，集电极电流能力为 100mA，适合中等功率的开关和放大应用。LDTA114GWT1G 的 SOT-23 小型封装使其适用于高密度 PCB 布局，并且支持表面贴装工艺，提高生产效率。
　　该晶体管的功率耗散为 300mW，在工作时能够有效散热，确保长期运行的稳定性。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有良好的热稳定性，适用于各种恶劣环境。
　　此外，LDTA114GWT1G 的制造工艺符合 RoHS 环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保电子产品设计。

LDTA114GWT1G 主要应用于通用开关电路和信号放大器。由于其高频性能优异，适合用于射频（RF）放大器、音频放大器和数字开关电路。
　　在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大器、LED 驱动电路和电源管理模块。在工业控制系统中，LDTA114GWT1G 可用于传感器信号放大、继电器驱动和逻辑电平转换。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车载娱乐系统、车身控制模块和车载充电器。此外，由于其封装小巧且支持表面贴装，LDTA114GWT1G 也常用于便携式设备、无线通信模块和物联网（IoT）设备中。
　　在设计中，该晶体管可以作为低噪声前置放大器、开关电源中的控制元件，或者用于构建多级放大电路。

MMBT3904, 2N3904, BC847, PN2222A