时间：2025/5/21 8:51:37
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CESD1006UC3V3BSH 是一款基于硅雪崩二极管 (SAD) 技术的静电放电 (ESD) 保护器件。该元件具有超低电容特性，非常适合高速数据线和射频信号线的保护应用。其设计能够有效防止因静电放电、电气快速瞬变 (EFT) 和电缆放电事件 (CDE) 引起的损坏。
该器件采用小尺寸 UC-3 封装形式，有助于节省电路板空间，并且能够与多种高速接口兼容。
封装：UC-3
工作电压（VRWM）：5.8V
最大箝位电压（VC）：14V
峰值脉冲电流（IPP）：4A
寄生电容（CD）：0.4pF
响应时间（tR）：<1ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CESD1006UC3V3BSH 具备以下主要特性：
1. 超低寄生电容，仅为 0.4pF，确保对高速信号的影响降到最低。
2. 极快的响应时间（小于 1ns），能够在瞬态事件发生时迅速提供保护。
3. 高可靠性设计，符合 IEC 61000-4-2 国际标准，可承受高达 ±15kV 的接触放电和 ±15kV 的空气放电。
4. 紧凑型 UC-3 封装，适合空间受限的应用场景。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适用于各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这款 ESD 保护器件适用于以下领域：
1. 高速数据接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt 等。
2. 射频信号线路保护，例如 LTE、Wi-Fi、Bluetooth 模块。
3. 工业设备中的控制信号线保护。
4. 汽车电子系统中的传感器和通信总线保护，如 CAN 总线、LIN 总线等。
5. 移动设备和其他便携式电子产品的输入输出端口保护。
PESD1006BLC, SM712, CDSOT23-ESD1V8BT3G
