CESD1006HC12VB 是一款基于硅技术的 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片,专为高速信号线和数据接口提供静电放电 (ESD) 和电气过载保护而设计。该器件具有极低的电容特性,使其非常适合用于高速数据线路的保护,例如 USB、HDMI、以太网等。其封装小巧,能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
该芯片采用单向 TVS 二极管结构,具有快速响应时间和低漏电流的特点,能够在微秒级时间内将瞬态高压钳位到安全水平,从而保护后端电路免受损坏。
工作电压:5.8V
击穿电压:7.5V
最大箝位电压:13.4V
峰值脉冲电流:12A
结电容:0.4pF
反向漏电流:1μA(最大值,在25°C时)
响应时间:小于1ps
封装形式:SOD-323
CESD1006HC12VB 的主要特点是其超低电容设计,仅为 0.4pF,这使得它能够兼容高频信号传输而不显著影响信号完整性。
其次,它的快速响应时间 (<1ps) 可确保在瞬态事件发生时迅速提供保护,避免敏感电路受到损害。
此外,这款 TVS 二极管支持高达 12A 的峰值脉冲电流,表明其具有较强的抗浪涌能力。
同时,其单向二极管结构减少了寄生效应,进一步优化了性能。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种环境条件下的应用。
CESD1006HC12VB 广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统的信号线保护。
典型应用场景包括:
- USB 2.0/3.0 数据线保护
- HDMI 和 DisplayPort 接口保护
- 以太网 PHY 端口保护
- 移动设备中的射频 (RF) 线路保护
- 高速串行接口如 PCIe 和 SATA 的保护
其低电容特性和小尺寸封装特别适合便携式设备和高密度 PCB 布局需求。
SMCJ5.0A, PESD5V0H1BL, SMAJ5.0A