KGF50N60KDA 时间：2025/9/12 11:03:10 阅读：24

KGF50N60KDA 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用，如电源转换器、马达驱动器以及开关电源等。这款MOSFET具有较低的导通电阻，支持大电流通过，并且在高温环境下具有良好的稳定性。KGF50N60KDA 通常采用TO-247封装，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

KGF50N60KDA 功率MOSFET具有多项出色的电气性能和物理特性，使其适用于各种高功率应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效率。这不仅减少了热量的产生，还提高了整体系统的能效。其次，MOSFET的最大漏源电压（Vds）达到600V，使其适用于高电压应用，例如开关电源和逆变器设计。此外，该器件的最大漏极电流为50A，能够支持大电流负载，如电机驱动器和工业控制系统。
　　这款MOSFET的栅极电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，提高了在复杂电气环境中的可靠性。同时，TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率运行时仍能保持稳定的工作温度。该封装也便于安装在散热片上，以进一步优化热管理。KGF50N60KDA 的工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的工业和汽车应用环境。此外，其内部结构设计有助于减少开关损耗，提高高频应用中的性能，适用于DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用。

应用

KGF50N60KDA 广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统中。其高电压和大电流特性使其非常适合用于开关电源（SMPS）的设计，特别是在服务器电源、工业电源和适配器等领域。此外，该器件也常用于电机驱动器和逆变器系统，例如在电动汽车、电动工具和工业自动化设备中，提供高效的功率控制。由于其高频响应能力和低导通电阻，KGF50N60KDA 也适用于DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS）。在太阳能逆变器和风能转换系统中，这款MOSFET能够提供稳定的高功率输出，满足可再生能源系统的高效需求。此外，它还适用于焊接设备、充电器和电源分配系统等应用，确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。