时间：2025/6/13 12:02:45
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CESD0603NC5VB-M 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能、小封装二极管芯片，专为高频和高功率应用设计。它采用超小型0603封装形式，具备出色的开关性能和低反向恢复电荷特性，适用于各种需要高效率和快速响应的电路环境。该器件具有高耐压能力，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、LED驱动器以及通信设备中。
最大反向电压：65V
正向电流（IF）：2.7A
峰值正向浪涌电流：8A
正向电压降（VF）：0.45V（典型值，@IF=1A）
反向恢复时间（trr）：20ns
结电容（Cj）：15pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：0603
CESD0603NC5VB-M 的主要特性包括其超低的反向恢复电荷（Qrr），这使其非常适合高频开关应用。同时，它的正向电压较低，能够减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的小型化封装有助于节省PCB空间，而高耐压能力则增强了系统的稳定性和可靠性。
其快速的反向恢复时间（trr）确保在高频条件下也能保持良好的性能，特别是在硬开关和软开关拓扑中表现出色。氮化镓材料的应用进一步提升了器件的热性能和电气性能，延长了使用寿命。
该二极管适用于多种电力电子应用领域，如高效DC-DC转换器、续、电机驱动保护电路以及USB-PD快充模块等。此外，在电信和工业自动化领域中，CESD0603NC5VB-M 可以作为关键元件提升电源模块的效率和稳定性。其紧凑的尺寸也使得它成为便携式电子产品中的理想选择。
CESD0603MC5VB-M
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