时间：2025/9/14 13:44:37
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NX7002AK.215 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用小型化的 SOT23 封装，适合在需要高效能与小体积设计的电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：110mA（连续）
导通电阻（RDS(on)）：5Ω @ VGS = 10V
阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
封装类型：SOT23
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
NX7002AK.215 采用了先进的沟槽技术，使其在导通状态下的电阻（RDS(on)）较低，从而降低了导通损耗，提高了能效。
该器件的漏源电压为 100V，能够在中高电压应用中稳定工作。栅极驱动电压兼容广泛的标准逻辑电平，适合与微控制器或其他数字电路配合使用。
此外，NX7002AK.215 具有良好的热稳定性与过载能力，能够在高温环境下运行，适用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统。
其 SOT23 封装体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中布局，并具备良好的焊接可靠性和热管理能力。
NX7002AK.215 常用于电源开关、负载控制、信号切换、逻辑驱动、LED 驱动电路、电池管理系统以及各类便携式设备中的功率控制电路。
由于其良好的性能与封装优势，也广泛应用于家用电器、工业自动化设备、汽车电子模块及通信设备中。
2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N
