CES2310L 是一款由 Cissoid 公司生产的高温、高压、高性能的 SiC(碳化硅)MOSFET 功率晶体管。该器件专为在极端环境条件下运行的功率电子系统设计,如航空航天、汽车、工业电机驱动和可再生能源系统。CES2310L 采用了 Cissoid 的高温封装技术,能够在高达 225°C 的工作温度下稳定运行。它具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和优异的热性能,适用于高效能和高可靠性的应用场景。
类型:SiC MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大漏极电流(Id):30A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):90mΩ
最大工作温度:225°C
封装类型:TO-247
栅极电荷(Qg):50nC
输入电容(Ciss):1800pF
短路耐受能力:有
工作温度范围:-55°C 至 225°C
CES2310L 的主要特性之一是其卓越的高温耐受能力,使其在高温环境中仍能保持稳定的性能。该器件采用了先进的 SiC 技术,提供更低的开关损耗和更高的效率。与传统硅基 MOSFET 相比,SiC MOSFET 在高频应用中表现出色,减少了系统的整体尺寸和重量。
CES2310L 还具有优异的热管理和散热性能,能够有效降低器件的温度,延长使用寿命。其高击穿电压和低导通电阻使得该器件在高功率应用中表现优异,特别适合需要高可靠性和高效率的工业和汽车应用。
此外,CES2310L 提供了出色的短路保护能力,能够在短路条件下保持器件的安全运行。该器件的封装设计优化了热阻,提高了散热效率,并且符合 RoHS 标准,适合环保应用。
CES2310L 主要应用于需要高温、高压和高可靠性的功率电子系统中。典型的应用包括航空航天电源系统、电动汽车(EV)充电器和逆变器、工业电机驱动、太阳能逆变器以及风力发电系统。在这些应用中,CES2310L 能够提供高效的功率转换,减少系统的热管理需求,并提高整体系统的可靠性和寿命。
此外,该器件还可用于高功率密度的 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器,适用于需要高效率和小尺寸设计的工业电源系统。由于其优异的高温性能,CES2310L 也适用于需要在极端环境条件下运行的军事和航空航天电子设备。
Cree / Wolfspeed C2M0025120D, Infineon IMZA120R030M1H