CES2308 时间：2025/12/25 1:49:47 阅读：11

CES2308 是一款由 CESSON（西森）推出的高性能、低功耗的增强型功率MOSFET器件。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻、高功率密度以及良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率转换应用场景。CES2308 主要面向DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用，具备优异的开关特性和耐压能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：80A
　　导通电阻(RDS(on))：8.8mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(PD)：120W
　　阈值电压(VGS(th))：1.8V ~ 3.0V

特性

CES2308 采用先进的沟槽式功率MOSFET工艺，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体系统效率。其最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达80A，适用于中高功率应用。器件的栅极驱动电压范围宽，支持从4.5V至20V的VGS操作，兼容多种驱动器和控制器。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（120W），可在高负载环境下稳定运行。
　　CES2308 的封装采用 TO-252（DPAK）形式，具有良好的散热性能和机械强度，适用于表面贴装工艺，便于在PCB上布局和安装。该器件还具备较低的开关损耗，适合高频开关应用，如同步整流、电机控制和负载开关电路等。
　　在可靠性方面，CES2308 经过严格的测试和验证，符合工业级温度要求（-55°C 至 150°C），能够在恶劣环境下保持稳定性能。其栅极氧化层设计提供了良好的抗静电能力和长期可靠性，适用于各种电源管理场景。