型号：CEP45N10
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：45A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：180A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：14.5mΩ（典型值，Vgs=10V，Id=20A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：130nC（典型值，Vds=80V，Id=45A）
　　输入电容（Ciss）：3300pF（典型值，Vds=50V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：970pF
　　反向恢复时间（trr）：56ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-247

CEP45N10具备出色的导通与开关性能，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)）与高电流承载能力的结合，这使得它在高功率密度设计中表现出色。在Vgs=10V时，其典型Rds(on)仅为14.5mΩ，这意味着在通过大电流时产生的导通损耗非常小，从而提升了系统的能效并减少了对散热系统的要求。这对于诸如DC-DC变换器和电机驱动器这类对效率敏感的应用尤为重要。
　　该器件采用TO-247封装，具有优良的热传导性能，能够将芯片产生的热量迅速传递至散热器，确保长时间高负载运行下的可靠性。同时，其高达175℃的最大结温允许设备在高温环境中稳定工作，增强了环境适应性。此外，CEP45N10的栅极电荷（Qg）较低，仅约130nC，在高频开关应用中可以显著减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，从而降低开关损耗，提升整体转换效率。
　　另一个关键特性是其内置的快速恢复体二极管，反向恢复时间（trr）为56ns，这一指标优于许多同类产品，可有效抑制因感性负载断开而引起的电压振荡和尖峰，防止器件发生雪崩击穿。对于桥式电路或电机驱动应用而言，这一点至关重要，因为它直接关系到系统的安全性和稳定性。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计，能够在瞬态过压情况下保持可靠运行。
　　CEP45N10还具备较强的抗干扰能力，其栅源电压范围为±20V，允许一定的驱动波动而不致损坏器件。同时，输入电容（Ciss）为3300pF，适中的电容值既保证了足够的驱动兼容性，又不会给驱动IC带来过重负担。综合来看，CEP45N10凭借其高性能参数、稳健的结构设计和广泛的工作范围，成为工业级功率开关应用中的优选器件之一。

CEP45N10主要应用于需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。常见使用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS），尤其是大功率AC-DC和DC-DC转换器，其中该器件作为主开关管或同步整流管使用，利用其低Rds(on)和高效率特性提升电源整体性能；在不间断电源（UPS）和逆变器系统中，CEP45N10可用于H桥或半桥拓扑结构，实现直流到交流的高效转换，适用于太阳能逆变器、储能系统和应急供电设备。
　　此外，在电机驱动领域，特别是直流电机、步进电机和小型伺服系统的驱动电路中，该MOSFET因其高电流能力和快速响应特性而被广泛采用，能够支持PWM调速和正反转控制。在电动工具、电动车控制器和工业自动化设备中，CEP45N10也扮演着关键角色，承担高频率、高应力的开关任务。
　　其他应用还包括电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、电焊机电源模块、LED恒流驱动电源以及各类工业电源模块。由于其具备良好的热稳定性和抗冲击能力，该器件也能在恶劣工作环境下长期运行，满足工业级和汽车级应用的部分要求。总之，凡是需要100V耐压等级、大电流处理能力和高效率开关性能的场合，CEP45N10都是一个极具竞争力的选择。

IRF3710
　　STP45NF10
　　FQP45N10