类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：600V
　　最大连续漏极电流(ID)：1.5A（在25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值2.5Ω（最大3.0Ω）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
　　最大功耗(PD)：25W
　　封装形式：TO-92

CS1N60C3HD 具备一系列优异的电气特性和设计优势，使其在多种功率应用中表现出色。其低导通电阻特性显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。同时，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源耐压达到600V，适合用于高压电源电路中。此外，CS1N60C3HD 采用高可靠性的沟槽技术，提升了器件的稳定性和抗过载能力。
　　该器件的栅极驱动特性优化，能够在较低的栅极电压下实现良好的导通性能，降低了驱动电路的设计难度。此外，其封装形式为TO-92，具备良好的散热性能，适用于紧凑型电路设计。CS1N60C3HD 的工作温度范围较宽，通常可在-55℃至150℃之间正常工作，适用于工业级和消费类电子产品。
　　在短路和过载情况下，CS1N60C3HD 也具备一定的耐受能力，增强了系统的稳定性。此外，该器件的封装形式符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺。

CS1N60C3HD 主要应用于各类电源管理系统中，包括但不限于AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其具备良好的耐压和导通性能，该MOSFET也常用于小型家电、智能电表、充电器、电源管理模块等消费类电子设备中。
　　在开关电源设计中，CS1N60C3HD 可作为主功率开关或同步整流开关使用，提高整体转换效率。在电机控制方面，它可用于H桥电路中，实现电机的正反转控制和制动功能。在电池管理系统中，CS1N60C3HD 可用于电池充放电控制，起到开关和保护作用。此外，在智能电表和物联网设备中，该器件可用于控制外部负载的通断，实现远程控制和节能管理。

FQP1N60C3、2N60C3、STP1N60C3、KSC1N60C3