CEM4606 时间：2025/9/12 13:07:48 阅读：6

CEM4606 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于各种高效率、高频开关应用。CEM4606 通常采用 TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装，适合自动化装配流程。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ（典型值，取决于VGS）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

CEM4606 MOSFET 采用先进的沟槽式设计，使其在同类产品中具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。
　　该器件支持高达 70A 的连续漏极电流，适合高功率密度应用。其最大漏源电压为 60V，适合中低压功率转换系统，如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制以及负载开关等。
　　此外，CEM4606 的栅源电压范围为 ±20V，使其在驱动电路设计中具有较高的灵活性，同时具备良好的抗过压能力。其封装形式为 TO-252（DPAK），有助于提高散热性能，确保在高功率工作下的稳定性。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频操作。其热阻较低，能够在高温环境下保持稳定运行。CEM4606 的这些特性使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。

应用

CEM4606 主要应用于需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
　　1. DC-DC 转换器：用于提高能量转换效率，特别是在同步整流拓扑中。
　　2. 电池管理系统：用于控制充放电过程，确保电池组的安全运行。
　　3. 电机驱动：适用于直流电机或步进电机的 H 桥控制电路。
　　4. 负载开关：用于控制高电流负载的接通与关断，如 LED 照明系统、电源管理模块等。
　　5. 电源管理系统：如服务器电源、UPS（不间断电源）、工业自动化设备等需要高可靠性和高效率的系统。
　　6. 汽车电子：包括车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块等场景。