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MTM20P10A 发布时间 时间:2025/9/3 8:26:38 查看 阅读:4

MTM20P10A 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET,由 Micro Commercial Components (MCC) 生产。该器件设计用于高效率电源管理系统,如 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的功率控制。MTM20P10A 采用 TO-220 封装,具有低导通电阻、高功率处理能力和良好的热稳定性,适用于多种中高功率应用。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):20A
  最大漏-源电压(VDS):100V
  导通电阻(RDS(on)):0.115Ω @ VGS = -10V
  栅极阈值电压(VGS(th)):-2V 至 -4V
  最大栅极电压(VGS):±20V
  功率耗散(PD):94W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装:TO-220

特性

MTM20P10A 具备一系列优异的电气和热性能,适用于中高功率应用。其导通电阻仅为 0.115Ω,在 VGS = -10V 时可确保较低的导通损耗,提高整体系统效率。这种低 RDS(on) 特性使其非常适合用于负载开关、DC-DC 转换器以及电池管理系统等场景。
  此外,MTM20P10A 的最大漏极电流可达 20A,漏-源电压额定值为 100V,使其能够承受较高的功率负载和瞬态电压冲击。器件的栅极阈值电压范围为 -2V 至 -4V,确保在标准逻辑电平下可靠工作。
  TO-220 封装提供了良好的热管理能力,允许器件在高功率条件下长时间稳定运行。其最大功率耗散为 94W,适合在散热要求较高的环境中使用。工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保在各种工业和车载应用中的可靠运行。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性,能够在突发的过载或故障条件下保持稳定。此外,MTM20P10A 的封装形式易于安装和散热片连接,便于在 PCB 上布局和维护。

应用

MTM20P10A 广泛应用于多种功率控制和电源管理系统中。例如,在 DC-DC 转换器中,该器件可用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压,特别适用于高电流输出的降压或升压拓扑结构。
  在电池管理系统中,MTM20P10A 可作为高侧或低侧开关,控制电池充放电路径,确保系统的安全性和能效。其低导通电阻特性也有助于减少电池能量损耗,延长设备运行时间。
  此外,该 MOSFET 还可用于电机驱动、电源负载开关、LED 驱动器和电源管理模块等应用。由于其具备较高的电流和电压承受能力,因此也适用于车载电子系统、工业自动化设备以及通信电源等高可靠性要求的场合。

替代型号

IRF9Z34N, FQP20P10, Si9410BDY

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