CED12N10L 时间：2025/7/4 6:29:02 阅读：14

CED12N10L 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料设计FET)，主要应用于高频、高压和高效率场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适合于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等对功率密度和效率要求较高的应用领域。
　　由于其采用先进的 SiC 技术，CED12N10L 能够在高温条件下稳定工作，并且具备更高的能效表现，相较于传统硅基 MOSFET，其整体性能有显著提升。

参数

额定电压：1200V
　　额定电流：10A
　　导通电阻：80mΩ
　　栅极电荷：50nC
　　反向恢复时间：无（因无体二极管）
　　最大工作结温：175℃

特性

CED12N10L 的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，额定电压高达 1200V，适用于高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻（80mΩ），可有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关速度，栅极电荷仅为 50nC，能够减少开关损耗并支持高频操作。
　　4. 不含体二极管设计，避免了反向恢复问题，进一步提升了效率。
　　5. 工作温度范围宽广，最高可达 175℃，适应恶劣环境下的稳定运行。
　　6. 封装形式紧凑，有助于提升功率密度和简化散热设计。

应用

CED12N10L 广泛应用于以下领域：
　　1. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器和车载充电机 (OBC)。
　　2. 光伏逆变器，用于高效能量转换。
　　3. 工业级开关电源 (SMPS)，如服务器电源和通信电源。
　　4. 电机驱动器，特别适合高速电机控制。
　　5. 充电桩模块，提供高功率输出的同时保证效率。
　　6. UPS 系统，保障电力供应的稳定性。