CEB73A3G 时间：2025/7/12 19:46:55 阅读：8

CEB73A3G 是一款由知名半导体厂商生产的高性能 N 沤道功率 MOSFET 芯片。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景，具有高效率、低导通电阻和出色的热性能。
　　该器件采用先进的制造工艺，能够提供卓越的电气特性和可靠性，适用于需要高效功率转换和精确电流控制的场合。

参数

类型：N 沤道 MOSFET
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源电压 VDS：60V
　　最大栅源电压 VGS：±20V
　　连续漏极电流 ID：41A
　　导通电阻 RDS(on)：4.5mΩ（在 VGS=10V 时）
　　总功耗 PD：115W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

CEB73A3G 的主要特点是其超低的导通电阻，这使得它在高频开关应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　此外，该芯片具备快速开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗。
　　它还采用了坚固耐用的设计，能够在极端温度范围内稳定运行，确保长期可靠性。
　　其小型化的 TO-252 封装使其非常适合空间受限的应用，并且具备良好的散热性能。

应用

CEB73A3G 可用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
　　- 开关模式电源 (SMPS)
　　- DC-DC 转换器
　　- 电机驱动与控制
　　- 电池管理系统 (BMS)
　　- 工业自动化设备
　　- 消费类电子产品中的负载开关
　　由于其高效的功率转换能力，这款 MOSFET 在绿色能源相关应用（如太阳能逆变器）中也得到了广泛应用。