CE8808N40M 时间：2025/4/29 13:28:57 阅读：2

CE8808N40M是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低能耗。其封装形式通常为TO-220或DPAK，具体以实际产品为准。

参数

型号：CE8808N40M
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：80V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：40mΩ
　　总功耗(Ptot)：105W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220/DPAK

特性

CE8808N40M的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗，提升整体效率。
　　2. 快速的开关速度，支持高频应用，降低了开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下仍能保持可靠性。
　　4. 优异的热性能设计，有助于改善散热效果。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保，适合多种工业和消费类电子设备。
　　6. 具有较高的耐压能力和大电流处理能力，适用于广泛的功率管理场景。

应用

CE8808N40M广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)，例如适配器、充电器和LED驱动电源。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节和稳压。
　　3. 电机驱动电路，控制直流无刷电机或步进电机。
　　4. 电池管理系统(BMS)，提供过流保护和负载切换功能。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子系统中的负载开关和逆变器电路。